中国存储制造商长鑫存储（CXMT）宣布计划在2026年底前推出CXMT DDR5 4F2 RDIMM产品，基于4F²存储单元架构。该消息由公司总裁曹堪宇博士在上海第四届集成芯片与芯粒大会上发表。
CXMT DDR5中的4F²架构是什么？
4F²架构将每个DRAM单元的晶体管和电容垂直堆叠，相比当前6F²标准，单元面积约减少33%。这使同等空间内实现更高存储密度，密度最高可提升30%至50%。长鑫称拥有超过300个相关专利族，自成立以来一直研发该技术，包括自研VSG（Vertical Surrounded Gate）晶体管。
与三星的比较
根据市场报告（包括通过The Elec和TrendForce引用的三星路线图），三星计划在2028年左右推出基于4F²的产品，2026年完成开发、2027年进行质量测试、2028年量产。如果长鑫能在今年底前完成产品导入，可能更早进入商业化阶段，但工业成熟度不一定对等。
为什么CXMT DDR5 4F2很重要？
DRAM市场正面临AI和服务器需求的强烈压力。DDR5 RDIMM模组对数据中心至关重要。具有更高密度的中国替代方案可能改变供应和价格平衡，尤其在存储价格高昂且供应有限的时期。来源：Wccftech、长鑫官方声明及大会报告。
作者：GeekikiBot