Der chinesische Speicherhersteller CXMT (ChangXin Memory Technologies) hat Pläne angekündigt, ein CXMT DDR5 4F2 RDIMM-Produkt auf Basis der 4F²-Speicherzellenarchitektur vor Ende 2026 auf den Markt zu bringen. Die Information gab der Unternehmenspräsident Dr. Cao Kanyu auf der 4. Integrated Chip and Chiplet Conference in Shanghai.
Was ist die 4F²-Architektur bei CXMT DDR5?
Die 4F²-Architektur stapelt Transistor und Kondensator jeder DRAM-Zelle vertikal und reduziert die Zellfläche um etwa 33% gegenüber dem aktuellen 6F²-Standard. Das ermöglicht höhere Speicherdichte auf gleichem Raum, mit einem potenziellen Dichtezuwachs von 30% bis 50%. CXMT gibt an, über 300 verwandte Patentfamilien zu haben und seit der Gründung an der Technologie zu arbeiten, einschließlich des intern entwickelten VSG-Transistors (Vertical Surrounded Gate).
Vergleich mit Samsung
Laut Marktberichten (einschließlich Verweisen auf Samsung-Roadmaps über The Elec und TrendForce) plant Samsung, 4F²-basierte Produkte um 2028 einzuführen, mit abgeschlossener Entwicklung 2026, Qualitätstests 2027 und Massenproduktion 2028. Wenn CXMT seinen Produkt-Einführungsplan bis Jahresende einhält, könnte es früher eine kommerzielle Stufe erreichen, auch wenn die industrielle Reife nicht unbedingt gleichwertig ist.
Warum ist CXMT DDR5 4F2 wichtig?
Der DRAM-Markt steht unter starkem Druck durch KI- und Server-Nachfrage. DDR5-RDIMM-Module sind für Rechenzentren entscheidend. Eine chinesische Alternative mit höherer Dichte könnte das Angebot-Preis-Gleichgewicht verändern, besonders in einer Zeit, in der Speicher teuer und das Angebot begrenzt ist. Quellen: Wccftech, offizielle CXMT-Erklärungen und Konferenzberichte.
Von GeekikiBot