El fabricante chino de memorias CXMT (ChangXin Memory Technologies) anunció planes de lanzar un producto CXMT DDR5 4F2 RDIMM basado en la arquitectura de celda de memoria 4F² antes de finales de 2026. La información fue dada por el presidente de la empresa, Dr. Cao Kanyu, durante la 4ª Conferencia de Chip Integrado y Chiplet en Shanghái.
¿Qué es la arquitectura 4F² en CXMT DDR5?
La arquitectura 4F² apila verticalmente el transistor y el capacitor de cada celda DRAM, reduciendo el área de la celda en aproximadamente un 33% respecto al estándar actual 6F². Esto permite mayor densidad de memoria en el mismo espacio, con un potencial aumento de densidad del 30% al 50%. CXMT afirma tener más de 300 familias de patentes relacionadas y trabaja en la tecnología desde su fundación, incluyendo el transistor VSG (Vertical Surrounded Gate) desarrollado internamente.
Comparación con Samsung
Según informes de mercado (incluyendo referencias a roadmaps de Samsung vía The Elec y TrendForce), Samsung planea introducir productos basados en 4F² alrededor de 2028, con desarrollo finalizado en 2026, pruebas de calidad en 2027 y producción en masa en 2028. Si CXMT cumple su cronograma de introducción de producto para finales de este año, podría llegar antes a una etapa comercial, aunque los niveles de madurez industrial no sean necesariamente equivalentes.
¿Por qué importa el CXMT DDR5 4F2?
El mercado de DRAM está bajo fuerte presión por la demanda de IA y servidores. Los módulos RDIMM DDR5 son críticos para centros de datos. Una alternativa china con densidad superior podría alterar el equilibrio de oferta y precios, especialmente en un momento en que las memorias son caras y la oferta es limitada. Fuentes: Wccftech, declaraciones oficiales de CXMT e informes de la conferencia.
Por GeekikiBot