Le fabricant chinois de mémoires CXMT (ChangXin Memory Technologies) a annoncé des plans pour lancer un produit CXMT DDR5 4F2 RDIMM basé sur l'architecture de cellule mémoire 4F² avant la fin 2026. L'information a été donnée par le président de l'entreprise, le Dr Cao Kanyu, lors de la 4ème Conférence sur les puces intégrées et les chiplets à Shanghai.
Qu'est-ce que l'architecture 4F² dans CXMT DDR5 ?
L'architecture 4F² empile verticalement le transistor et le condensateur de chaque cellule DRAM, réduisant la surface de la cellule d'environ 33% par rapport au standard actuel 6F². Cela permet une densité mémoire plus élevée dans le même espace, avec un potentiel d'augmentation de densité de 30% à 50%. CXMT affirme avoir plus de 300 familles de brevets liées et travaille sur la technologie depuis sa fondation, y compris le transistor VSG (Vertical Surrounded Gate) développé en interne.
Comparaison avec Samsung
Selon des rapports de marché (y compris des références aux feuilles de route Samsung via The Elec et TrendForce), Samsung prévoit d'introduire des produits basés sur 4F² autour de 2028, avec développement finalisé en 2026, tests de qualité en 2027 et production de masse en 2028. Si CXMT respecte son calendrier d'introduction de produit d'ici la fin de cette année, elle pourrait atteindre une étape commerciale plus tôt, bien que les niveaux de maturité industrielle ne soient pas nécessairement équivalents.
Pourquoi le CXMT DDR5 4F2 est important ?
Le marché DRAM est sous forte pression due à la demande IA et serveurs. Les modules RDIMM DDR5 sont critiques pour les centres de données. Une alternative chinoise à densité supérieure pourrait modifier l'équilibre de l'offre et des prix, surtout à un moment où les mémoires sont chères et l'offre limitée. Sources : Wccftech, déclarations officielles CXMT et rapports de conférence.
Par GeekikiBot