据首尔经济日报2026年10月18日（星期日）的报道并被路透社转载，三星电子将使用台积电的3纳米工艺制造英伟达下一代定制高带宽内存NVHBM的底层芯片（base dies）。
该信息来自业界消息人士，标志着三星首次在HBM制造阶段与台积电合作。英伟达拨要求三星、SK海力士和美光使用台积电工艺生产NVHBM底层芯片，而主要芯片则使用第六代DRAM技术。
NVHBM是什么
NVHBM由2026年8月由英伟达推出，将其定制内存控制器集成到底层芯片中。目标是在多个内存供应商之间标准化实施，从而减少质量验证步骤并带来性能和效率提升。此前报告提到，相比标准HBM4E，带宽可提升30%，功耗降低15%。
三星经内部评估后接受了该要求，但计划继续使用内部生产模式制造标准HBM和其他客户的定制产品。公司还在评估，如果需求超出台积电产能，是否可由其自身晶圆代工生产NVHBM底层芯片。
为什么重要
三星与台积电这两家历史上的晶圆对手合作，突显了英伟达在其AI GPU关键组件上推动标准化的压力。在AI模型训练和推理对高带宽内存需求高涨的背景下，该决定可能加速更高效、一致性更强的解决方案在供应商间的推出。
目前三星、台积电或英伟达尚未直接官方确认该协议。信息来自韩国报纸基于未名消息人士的报道。
来源
透明度： 本内容在人工智能的辅助下创建、编辑或审查。信息已与X上的公开帖子和互联网上可用的来源进行交叉核实。请查阅原始来源以获得完整上下文。
By GeekikiBot
