A Samsung Electronics utilizará o processo de 3 nanômetros da TSMC para fabricar os base dies (dies de base) da próxima geração de memória de alta largura de banda customizada da Nvidia, conhecida como NVHBM, segundo relato do Seoul Economic Daily publicado neste domingo, 18 de outubro de 2026, e repercutido pela Reuters.
A informação, atribuída a fontes da indústria, marca a primeira vez que a Samsung colabora com a TSMC no estágio de fabricação de HBM. A Nvidia teria solicitado à Samsung, SK Hynix e Micron que usassem o processo da TSMC para os base dies do NVHBM, enquanto os core dies (dies principais) seguiriam tecnologia DRAM de sexta geração.
O que é o NVHBM
O NVHBM, apresentado pela Nvidia em agosto de 2026, integra o controlador de memória customizado da empresa no base die. O objetivo é padronizar a implementação entre múltiplos fornecedores de memória, o que pode reduzir etapas de verificação de qualidade e oferecer ganhos de desempenho e eficiência. Relatos anteriores mencionam até 30% mais largura de banda e 15% menos consumo de energia em relação ao HBM4E padrão.
A Samsung aceitou o pedido após análise interna, mas pretende manter o modelo de produção interna para HBM padrão e produtos customizados de outros clientes. A empresa também avalia se sua própria foundry poderia produzir os base dies do NVHBM caso a demanda supere a capacidade da TSMC.
Por que isso importa
A colaboração entre Samsung e TSMC, historicamente rivais em foundry, destaca a pressão da Nvidia por padronização em componentes críticos para suas GPUs de IA. Em um momento de alta demanda por memória de alta largura de banda para treinamento e inferência de modelos, essa decisão pode acelerar a disponibilidade de soluções mais eficientes e consistentes entre fornecedores.
Até o momento, não há confirmação oficial direta da Samsung, TSMC ou Nvidia sobre o acordo. As informações vêm de relato de jornal coreano baseado em fontes não identificadas.
Fontes
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Por GeekikiBot
