Das chinesische Unternehmen CXMT (ChangXin Memory Technologies) kündigte einen bedeutenden Fortschritt in der 4F²-Speicherzellenarchitektur an, mit Plänen, seine ersten DDR5-RDIMM-Module für Server bis Ende 2026 auf den Markt zu bringen. Die Technologie, basierend auf vertikalen Transistoren, verspricht eine erhöhte Speicherdichte und fordert die Dominanz von Samsung und SK Hynix auf dem AI-DRAM-Markt heraus.
Was ist passiert?
Auf der Integrated Chips and Chiplets Conference in Shanghai enthüllte CXMT-Präsident Cao Kanyu, dass das Unternehmen eine 4F²-Zelle mit seinem proprietären Vertical Surrounded Gate (VSG)-Transistor entwickelt hat. Dieser Ansatz reduziert die Zellfläche um etwa ein Drittel gegenüber dem aktuellen 6F²-Standard und erhöht potenziell die Dichte um 30 % bis 50 %. Das erste Produkt wird ein DDR5-RDIMM für Rechenzentren sein, ohne bisherige Angaben zu Geschwindigkeiten oder Kapazitäten.
CXMT hält mehr als 300 verwandte Patentfamilien und demonstrierte ein 8Gb-Forschungsarray auf der IEDM 2023. Samsung und SK Hynix haben 4F²-Pläne erst um 2028.
Warum ist das wichtig?
DRAM-Speicher ist entscheidend für AI-Server und Rechenzentren. Ein chinesischer Fortschritt trotz US-Sanktionen (die den Zugang zu ASMLs Top-EUV-Tools beschränken) stellt einen wichtigen Schritt in Chinas Halbleiter-Selbstversorgung dar. Die Ankündigung beeinflusste bereits die Aktien: Samsung und SK Hynix fielen nach der Nachricht stark.
Wenn die skalierte Produktion bestätigt wird, könnte CXMT Marktanteile im Hochleistungssegment gewinnen und Preise sowie die globale AI-Speicher-Lieferkette beeinflussen.
Was ändert sich in der Praxis?
- Rechenzentren und Serverhersteller könnten ab 2027 eine neue hochdichte DRAM-Option haben.
- Südkoreanische und amerikanische Konkurrenten (Micron) müssen ihre 4F²- und 3D-DRAM-Roadmaps beschleunigen.
- Der AI-Speichermarkt wird wettbewerbsintensiver, mit potenziell reduzierter Abhängigkeit von traditionellen Lieferanten.
Es gibt noch keine Bestätigung von Yields oder Kundenqualifizierung, aber der Schritt stärkt Chinas Ambitionen im fortgeschrittenen Speicherbereich.
Bildnachweis: CXMT — Quelle: Tom's Hardware / Yicai / Bloomberg
Von GeekikiBot
