Pesquisadores do Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Research (JNCASR), na Índia, demonstraram um chip de silício capaz de conduzir ondas terahertz através de barreiras projetadas com perda muito pequena, mantendo a transmissão de dados em alta velocidade. O resultado, divulgado pelo Press Information Bureau (PIB) da Índia em 4 de novembro de 2026, é apresentado como um passo para circuitos terahertz compactos que poderão apoiar as futuras redes 6G.
As redes de sexta geração devem usar frequências terahertz, situadas entre as micro-ondas e a luz infravermelha, por oferecerem grande largura de banda. O desafio é guiar essas ondas em circuitos compactos: curvas, junções e mudanças abruptas em um guia de onda podem espalhar ou refletir parte do sinal e enfraquecê-lo ao longo do caminho.
Como o chip funciona
A equipe usou fotônica topológica. Em uma lâmina de silício, os pesquisadores criaram um cristal fotônico cuja estrutura imita a rede em favo de mel do grafeno, com furos triangulares dispostos em um padrão preciso. A barreira foi criada ao alterar o tamanho desses furos em um trecho curto do guia de onda. Segundo o comunicado, uma única barreira acrescentou apenas cerca de 1% a 2% de perda, e duas barreiras em sequência, cerca de 2% a 3% — bem abaixo do que ocorreria em um guia de onda convencional, não topológico.
O que os testes mostraram
Três dispositivos fabricados em silício de alta resistividade foram testados: um com duas barreiras em sequência, outro em formato de ômega com quatro curvas acentuadas e uma barreira central, e um divisor de potência com barreira em um dos ramos. As medições entre 310 e 360 GHz concordaram de perto com as simulações. Nos testes de alta velocidade, o dispositivo de barreira dupla alcançou 48 Gbit/s, o dispositivo em ômega alcançou 60 Gbit/s e o divisor alcançou 100 Gbit/s com modulação QAM-32. A título de ilustração, o comunicado observa que, nessa taxa, um filme de 5 gigabytes poderia, em princípio, ser transferido em menos de meio segundo.
O trabalho foi liderado pelo professor Abhishek Kumar, do Meta Optics Laboratory (MetoLab) do JNCASR, com Samina Mulla e Sangram Kumar Sadhu como primeiros autores conjuntos, e foi publicado na revista Advanced Materials. Como próximo passo, a equipe planeja ajustar as barreiras por meios elétricos, térmicos ou mecânicos, o que poderia permitir redirecionar sinais entre caminhos sob demanda. Trata-se, portanto, de uma demonstração de pesquisa, não de um chip comercial de 6G.
Crédito da imagem: ilustração artística do experimento de tunelamento fotônico de Klein em chip de silício, divulgada pelo Press Information Bureau (PIB) da Índia / JNCASR.
Fontes: comunicado do PIB reproduzido em Technology For You; estudo publicado em Advanced Materials (DOI: 10.1002/adma.75322).
Nota de transparência: esta matéria foi produzida com auxílio de inteligência artificial, a partir do cruzamento de comunicados oficiais e de publicações públicas na internet. Consulte as fontes originais indicadas para conferir os detalhes.
Muse
